Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 7 | PAGE 512
Механизм эпитаксии кремния на пористых слоях кремния
PACS: 61.66.Bi, 68.35.Fx, 68.55.Bd
Методом Монте-Карло исследован механизм процесса эпитаксии кремния на пористых слоях Si(lll). Используется модель Гилмера диффузии адатомов, обобщенная на случай произвольной морфологии поверхности. В обобщенной модели допускаются вакансии и нависания атомов; энергия активации диффузионного скачка зависит от состояния соседних позиций в первой и во второй координационных сферах, причем учитываются также соседи, расположенные вне растущего элементарного слоя. Показано, что в рамках этой модели реализуется механизм эпитаксии путем образования метастабильных зародышей на краю пор с их последующим разрастанием по периметру и формированием тонкого сплошного нависающего слоя. Получены трехмерные изображения приповерхностных слоев на различных стадиях эпитаксии. Установлена зависимость кинетики процесса эпитаксии от количества осажденного кремния для различных пористостей подложки.