Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 (1997) | ISSUE 8 | PAGE 651
Теплопроводность кристалла фуллерита С60 SC-фазы
Исследовано поведение теплопроводности fc(T) массивных ограненных кристаллов фуллерита Ceo при температурах Г 8 220 К. Образцы были приготовлены из чистого См, содержавшего менее 0,01% примесей, методом газового транспорта. Обнаружено, что с понижением температуры теплопроводность кристалла возрастает, достигает максимума при Τ 15 20 К и падает в ~ 2 раза, пропорционально изменению теплоемкости, с охлаждением до 8 К. Эффективная длина свободного пробега фононов λρ, оцениваемая по теплопроводности и известной из литературы теплоемкости фуллерита, сравнима с постоянной решетки кристалла λρ ~ d 1.4 нм при Τ > 200 К и достигает значений λρ ~ 50<f при Τ < 15 К, т.е. максимальные фононные пробеги ограничиваются рассеянием на дефектах в объеме образца SC-фазы. В области Τ 25 — 75 К наблюдаемая температурная зависимость к(Т) может быть описана выражением к(Т) ~ ехр(©/ЬТ), характерным для поведения теплопроводности совершенных непроводящих кристаллов при температурах ниже дебаевской Θ (в фуллерите Θ 80 К), где преобладает фонон-фононное рассеяние с перебросом в объеме образца (U-процессы). PACS: 66.70.+f