Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 10 | PAGE 794
Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии
PACS: 72.80.Ng
Обращается внимание на то, что частичное окисление пористого кремния (ПК), сформированного на сильнолегированных кристаллах, в силу топологии пор может приводить к образованию анизотропного материала с гирляндами из гранул кремния диаметром в единицы нанометров, вкрапленных в диэлектрическую двуокись кремния SiC>2При таких размерах гранул существенны корреляционные эффекты в туннелировании электронов (дырок) из-за их кулоновского взаимодействия, что должно проявляться в их дискретном туннелировании при температурах, сравнимых с комнатной. Приводятся измеренные при комнатной температуре вольт-амперные характеристики диодных структур п+-ПКр+ — р+ с прослойкой ПК на p+-Si со ступеньками тока на прямой и обратной ветвях, которые мы связываем с дискретным туннелированием дырок вдоль кремниевых гирлянд в S1O2