Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 11 | PAGE 928
Однородное вращение смектических слоев сегнетоэлектрического жидкого кристалла под действием асимметричного электрического поля
PACS: 61.30.Gd
Асимметричное переменное электрическое поле с амплитудой Ε — 10В/мкм вызывает согласованное вращение нормали к смектическим слоям, а синусоидальное Ε = 1 В/мкм используется для его изучения в методе модуляционной эллипсомет-рии полного внутреннего отражения, который позволяет зондировать область сег-нетоэлектрического жидкого кристалла (СЖК), непосредственно примыкающую к электроду (h sa 0.7 мкм). Показано, что угол поворота нормали к смектическим слоям вблизи поверхности электрода, так же как и в объеме, обратимо меняется в зависимости от полярности и числа приложенных электрических импульсов. Динамические характеристики, характерные для тонких слоев нематических жидких кристаллов, такие как аномально большое время релаксации и высокочастотный релаксационный процесс, обнаружены в тонких слоях СЖК.