|
|
| VOLUME 66 (1997) | ISSUE 3 |
PAGE 139
|
Динамика экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
Литвиненко К.Л., Горшунов А., Хвам Й.М., Лысенко В.Г.
Экспериментально исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров поглощения GaAs/AlxGai-xAs многослойных квантовых ям. Получено, что вплоть до плотностей квазичастиц 10" см-2 насыщение экситонного поглощения одновременно вызывается уменьшением силы осциллятора и уширени-ем экситонных линий. Показано, что при резонансном фемтосекундном лазерном возбуждении уменьшение силы осциллятора вызвано влиянием свободных электрон-дырочных пар, тогда как уширение и сдвиг энергетического положения экситонных линий определяется экситон-экситонным взаимодействием. Из экспоненциального уменьшения изменения силы осциллятора, а также ширины и энергетического положения экситонных линий определены время жизни свободных электрон-дырочных пар и 65 пс и экситонов и410пс. PACS: 42.50.Md
|
|
Home
![](/ps/1016/article_15436_800_head.png "<b>Экспериментально исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров поглощения GaAs/AlxGai-xAs многослойных квантовых ям. Получено, что вплоть до плотностей квазичастиц 10" см<sup>-2</sup> насыщение экситонного поглощения одновременно вызывается уменьшением силы осциллятора и уширени-ем экситонных линий. Показано, что при резонансном фемтосекундном лазерном возбуждении уменьшение силы осциллятора вызвано влиянием свободных электрон-дырочных пар, тогда как уширение и сдвиг энергетического положения экситонных линий определяется экситон-экситонным взаимодействием. Из экспоненциального уменьшения изменения силы осциллятора, а также ширины и энергетического положения экситонных линий определены время жизни свободных электрон-дырочных пар и 65 пс и экситонов и410пс.</b> PACS: <a href=\"http://42.50.Md\">42.50.Md</a>")