JETP Letters: issues online

Проведены исследования зависимости холловской подвижности электронов при изменении заселенности подзон размерного квантования а двумерном электроном газе дельта-легированного слоя в GaAs с постоянной суммарной концентрацией электронов N, = 3.2 · 10^1гсм^-2 (три исходно заполненные подзоны) при Τ = 4.2 К. Заселенность подзон изменялась за счет диамагнитного выталкивания уровней размерного квантования магнитным полем, параллельным плоскости дельта-легированного Слоя. Измерения проводились в наклонных магнитных полях при малых углах (5°) отклонения направления магнитного поля от плоскости легирования. Нормальная к плоскости компонента магнитного поля использовалась для измерения холловских подвижности и концентрации. Оказалось, что измеренная холловская подвижность как функция выталкивающего магнитного поля имеет явно выраженный максимум. Этот максимум связан с увеличением подвижности электронов в 1-ой подзоне (основной подзоне приписывается индекс нуль) и перераспределением электронов между подзонами с увеличением выталкивающего магнитного поля, параллельного плоскости дельта-слоя. PACS: 73.20.Dx, 73.50.Jt, 73.61.Еу