Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 12 | PAGE 647
Непрямые экситоны и двойные электронно-дырочные слои в широкой одиночной GaAs/AlGaAs квантовой яме в сильном электрическом поле
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Abstract
Исследованы спектры непрямой рекомбинации экситонов и двойных электронно-дырочных слоев в широкой одиночной квантовой яме в электрическом поле. Установлено, что в достаточно сильном электрическом поле в широкой яме происходит пространственное разделение электронов и дырок, что приводит к существенной перестройке спектра излучательной рекомбинации и к значительному увеличению времени жизни носителей заряда. Показано, что, меняя частоту фотовозбуждения и величину приложенного электрического поля, можно изменять полный заряд электронно-дырочной системы и переходить от нейтрального случая непрямых экситонов к случаю заряженных двойных электронно-дырочных слоев; измерена зависимость концентрации избыточных носителей заряда в яме от напряженности электрического поля. Для нейтральной экситонной системы обнаружено и изучено поведение возбужденных состояний непрямых тяжелодырочных и легкодырочных экситонов в сильном электрическом поле и показано, что электрополевые зависимости позволяют отличить возбужденные состояния непрямых экситонов с легкой дыркой от возбужденных состояний с тяжелой дыркой.