Резонансное упругое рассеяние света на флуктуациях приповерхностного экситонного потенциала
Кособукин В.А., Селькин А.В.
Измерены сечение и индикатрисса резонансного упругого рассеяния света кристаллами CdS(r=2K) в области экситонного состояния Λ j". Рассеяние обусловлено флуктуалиями экситонного потенциального барьера, который может быть аппроксимирован безэкси-тонным ("мертвым") слоем со среднеквадратичной высотой шероховатости внутренней поверхности h = 5 А и корреляционной длиной / = 0,5 мкм.
Home
![](/ps/150/article_2601_800_head.png "Измерены сечение и индикатрисса резонансного упругого рассеяния света кристаллами CdS(r=2K) в области экситонного состояния Λ j". Рассеяние обусловлено флуктуалиями экситонного потенциального барьера, который может быть аппроксимирован безэкси-тонным ("мертвым") слоем со среднеквадратичной высотой шероховатости внутренней поверхности <b><i>h = </i></b>5 А и корреляционной длиной / = 0,5 мкм.")