Home
| VOLUME 91 (2010) | ISSUE 1 | PAGE 37 |
|---|
|
Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb1-xSnxTe(In) в терагерцовой спектральной области
А. В. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич+, С. Д. Ганичев*, С. Н. Данилов*, В. В. Бельков
 , Д. Р. ХохловМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия +Институт прикладной физики АН Молдовы, MD-2028 Кишинев, Молдова *Физический факультет Университета Регенсбурга, D-93040 Регенсбург, Германия  Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Abstract
Исследована спектральная зависимость сигнала фотопроводимости в легированном узкощелевом полупроводнике Pb0.75Sn0.25Te(In) при температурах 4.2-30 К при воздействии импульсов терагерцового лазерного излучения. Показано, что спектр фотопроводимости полупроводника простирается, по крайней мере, до длины волны 500 мкм. Эта величина более чем в два раза превышает длину волны красной границы фотоэффекта для наиболее длинноволновых из известных высокочувствительных фотонных приемников излучения на основе одноосно легированного Ge(Ga) - 220 мкм. Обсуждаются механизмы, ответственные за фоточувствительность PbSnTe(In) в терагерцовой спектральной области. |