Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 92 (2010) | ISSUE 10 | PAGE 757
Твердофазные реакции в Ga/Mn тонких пленках: формирование φ-Ga7.7Mn2.3 фазы и ее магнитные свойства
Abstract
Представлены экспериментальные результаты исследования твердофазного синтеза φ-Ga7.7Mn2.3 фазы в Ga/Mn пленках. Ферромагнитное (или ферримагнитное) состояние образцов наблюдается при температуре отжига выше 250 °C. Рентгеноструктурные измерения показывают формирование φ-Ga7.7Mn2.3 фазы, которая растет поликристаллической на стеклянных подложках и "куб на куб" преимущественной ориентацией на MgO(001). Установлена сильная зависимость констант перпендикулярной K_{\bot} и эффективной плоскостной двухосной K1 eff анизотропий от магнитного поля H. Вследствие этого с увеличением величины магнитного поля выше 8 кЭ легкая ось намагничивания меняет направление из плоскости к нормали пленки. Аномальное поведение констант K_{\bot} и K1 eff объясняется созданием плоскостных напряжений во время формирования φ-Ga7.7Mn2.3 фазы и прямой зависимостью постоянных магнитострикции от величины магнитного поля. Определена намагниченность насыщения MS и дана оценка первой константы K1 магнитокристаллической анизотропии φ-Ga7.7Mn2.3 фазы.