Home
| VOLUME 92 (2010) | ISSUE 11 | PAGE 847 |
|---|
|
Изучение гетероструктуры SiO2(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения
Н. А. Григорьева, А. А. Воробьев+, В. А. Уклеев, Е. А. Дядькина*, Л. В. Луцев∇, А. И. Стогний
 , Н. Н. Новицкий, С. В. Григорьев*Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия +Europien Synchrotron Radiation Facility, 38000 Grenoble, France *Петербургский Институт Ядерной Физики им. Б.П. Константинова РАН, 188300 Гатчина, Россия ∇Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Научно-практический центр НАНБ по материаловедению, 220726 Минск, Республика Беларусь
Abstract
Гигантский инжекционный магниторезистивный эффект наблюдается в гранулированной Co/SiO2 пленке на полупроводниковой GaAs подложке в узком интервале температур вблизи T=300 K. Согласно существующей теории природа эффекта связана со структурой и физическими свойствами интерфейсного слоя. Методами рефлектометрии и малоуглового рассеяния синхротронного излучения в скользящей геометрии изучено пространственное распределение наночастиц кобальта в объеме гранулированной пленки Co/SiO2 и на границе раздела гранулированная пленка/полупроводниковая подложка (ГП/ПП). Показано, что в объеме пленки характерное среднее расстояние между гранулами кобальта составляет 7.3 нм. В то же время, среднее расстояние между гранулами на интерфейсе ГП/ПП составляет 32 нм при их вертикальном размере порядка 7.5 нм. Экспериментальные результаты свидетельствуют о пониженной концентрации кобальта на интерфейсе и о точечном характере контакта основного объема пленки Co/SiO2 с подложкой GaAs через относительно разреженный слой ферромагнитных гранул кобальта. |