Home
| VOLUME 94 (2011) | ISSUE 6 | PAGE 500 |
|---|
|
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
О. Е. Терещенко*+, К. А. Кох°, В. В. Атучин*, К. Н. Романюк*+, С. В. Макаренко+, В. А. Голяшов+, А. С. Кожухов*+, И. П. Просвирин∇, А. А. Шкляев*+
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия +Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия °Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского РАН, 630090 Новосибирск, Россия ∇Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi2Se3 к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (  см2) со
средней квадратичной шероховатостью менее 0.1 нм и атомным
разрешением структуры (1×1)-(0001) Bi2Se3. Измерение
туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость
поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне
Bi2Se3.
|