Структурные и электрические свойства сверхлегированного поверхностного слоя кремния с глубокими донорными состояниями серы
A. A. Ионин+, С. И. Кудряшов+*, С. В. Макаров+, Н. Н. Мельник+, А. А. Руденко+, П. Н. Салтуганов+×, Л. В. Селезнев+, Д. В. Синицын+, И. А. Тимкин+*, Р. А. Хмельницкий+
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
×Национальный исследовательский университет "МФТИ", 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Неоднородное сверхлегирование поверхностного слоя
пластины кремния атомами серы с
концентрацией атомов легирующей примеси на уровне более
2•1021 см-3 на глубине порядка
100 нм достигнуто путем его фемтосекундной лазерной
обработки в серосодержащей
жидкости. Инфракрасная (ИК) спектроскопия
сверхлегированного слоя демонстрирует отчетливые полосы
межзонного поглощения донорных центров серы, отсутствующие в исходном
материале, и широкую полосу поглощения свободных носителей с
концентрацией см-3.
Относительно низкая плотность носителей связывается с равновесной
термической ионизацией локализованных состояний легирующей примеси в
сверхлегированном слое,
сохраняющем невырожденный характер вследствие необычно сильной
электрон-ионной связи в глубоких донорных состояниях.