Учет эффектов самосогласования электронной плотности в рамках метода LDA+U+SO, реализованного в формализме температурных функций Грина в базисе функций Ванье
М. А. Коротин, Н. А. Скориков, С. Л. Скорняков, А. О. Шориков, В. И. Анисимов
Институт физики металлов им. Михеева УрО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
Abstract
Сформулирован и реализован в программных кодах метод LDA+U+SO
(приближение локальной электронной плотности + учет кулоновских корреляций в
статическом пределе среднего поля + учет спин-орбитального взаимодействия) в
формализме температурных функций Грина в базисе функций Ванье. Предложена
формула для приближенного учета влияния самосогласования электронной
плотности на параметры гамильтониана. Показано, что результаты для NiO,
GdNi2, Pu и US, полученные предложенным методом, хорошо согласуются с
результатами, получаемыми методами с полным самосогласованием электронной
плотности.