Home
| VOLUME 106 (2017) | ISSUE 7 | PAGE 440 |
|---|
|
Двумерный электронный газ на границе сегнетоэлектрика Ba0.8Sr0.2TiO3 и антиферромагнетика LaMnO3
Д. П. Павлов+, И. И. Пиянзина+*, В. М. Мухортов#, А. М. Балбашов×, Д. А. Таюрский*, И. А. Гарифуллин+, Р. Ф. Мамин+*
+Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, 420029 Казань, Россия *Казанский федеральный университет, 420008 Казань, Россия #Южный научный центр РАН, 344006 Ростов-на-Дону, Россия ×Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия
Abstract
Исследована температурная зависимость электросопротивления гетероструктур, состоящих из монокристаллических образцов антиферромагнетика LaMnO3 различной ориентации с нанесенной на них эпитаксиальной пленкой сегнетоэлектрика Ba0.8Sr0.2TiO3. Полученные результаты измерений электросопротивления сравниваются с поведением электросопротивления в монокристаллических образцах LaMnO3 без пленок. Обнаружено, что в образцах с пленкой, в которой ось поляризации сегнетоэлектрика расположена перпендикулярно поверхности монокристалла, электросопротивление сильно падает, и при понижении температуры ниже 160 K демонстрирует металлический характер. Проведено моделирование структурных и электронных свойств гетероструктуры сегнетоэлектрик-антиферромагнетик: BaTiO3/LaMnO3. Показан переход в состояние двумерным электронным газом на интерфейсе. |