Home
| VOLUME 107 (2018) | ISSUE 8 | PAGE 507 |
|---|
|
Магнитосопротивление в режиме движущейся волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe3
А. В. Фроловa, А. П. Орловa,b, П. Д. Григорьевc,d,e, В. Н. Зверевf,g, А. А. Синченкоa,h,i 1), Р. Монсоj 2)
aИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия bИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия cИнститут теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Россия dФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия eНациональный университет науки и технологии (МИСиС), 119049 Москва, Россия fИнститут физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия gМосковский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия hМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия iНациональный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия jUniversté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut NEEL, 38042 Grenoble, France
Abstract
Проведены измерения магнитосопротивления в квазидвумерном проводнике TbTe3 с волной зарядовой плотности (ВЗП) в широком интервале температур и в магнитных полях до 17 Тл. При температуре, значительно ниже температуры пайерлсовского перехода, и в больших магнитных полях магнитосопротивление демонстрирует линейную зависимость от магнитного поля, обусловленную рассеянием нормальных носителей на "горячих" точках поверхности Ферми. В режиме движущейся ВЗП в слабых магнитных полях наблюдается качественное изменение магнитосопротивления, связанное с сильным рассеянием носителей на скользящей ВЗП. |