Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 113 | ISSUE 8 | PAGE 507
2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
Abstract
Исследована кинетика затухания низкотемпературной экситонной фотолюминесценции в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами GaN/AlN монослойной толщины, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В рамках трехуровневой модели выполнено теоретическое моделирование измеренных кривых затухания излучения. Процесс релаксации дипольно-разрешенных "светлых" экситонов, пространственно ограниченных в монослоях GaN, определен как экситонная релаксация с характерным временем \sim 3 пс, сопровождающаяся переворотом спина и превращением в дипольно-запрещенные "темные" экситоны, уровни которых расположены на \sim 60 мэВ ниже по энергии. Показан двумерный характер экситонных состояний при температурах выше 50 К.