Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 113 | ISSUE 9 | PAGE 605
Влияние мощности излучения на модификацию осцилляций фототока в однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками
Abstract
Изучено влияние мощности падающего светового излучения на поведение квантовых осцилляций фототока в однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками. Обнаружено резкое подавление начальных осцилляций с ростом мощности, обусловленное деструктивным влиянием случайных флуктуаций потенциала, порождаемых накоплением заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Обнаружено критическое влияние рекомбинации в области сильнолегированого p-слоя на относительную величину осцилляций в диапазоне малых мощностей. При большой мощности обнаружена генерация тока аналогичная наблюдавшейся в n-i-n резонансно-туннельных структурах. Предложена новая качественная модель формирования осцилляций, включающая, как основной элемент, диффузионный транспорт фотовозбужденных электронов из p-слоя. Новая модель подтверждена также измерениями осцилляций при разных длинах волн.