Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 113 | ISSUE 12 | PAGE 797
Микродоменная инженерия в волноводных и слоистых структурах на основе сегнетоэлектриков для применений в элементах фотоники (Миниобзор)
Abstract
Представлен обзор результатов исследований сегнетоэлектрических нано- и микродоменных структур, сформированных в оптических волноводах на LiNbO3. В волноводном сэндвиче LNOI (LiNbO3-on-insulator) полярной (Z) ориентации полем зонда AFM записаны нанодоменные структуры заданной конфигурации и исследованы их свойства. На доменных стенках обнаружена статическая проводимость σDW. Ее оценка выполнена с помощью оригинального метода, основанного на характеристиках AFM записи доменов. Найденная величина \sigma_{\text{DW}}\approx8\cdot10^{-4} (Ом • см)-1 не менее, чем на 12 порядков, превышает объемную проводимость LiNbO3. В планарных оптических волноводах He : LiNbO3 и Ti : LiNbO3, сформированных на неполярных (X и Y) поверхностях кристалла электронно-лучевым методом,записаны микродоменные решетки с заданными периодами. Исследования нелинейно-оптического преобразования излучения в записанных структурах показали, что оптимальные характеристики волноводного преобразования во вторую гармонику достигаются при соответствии глубины записанных доменов Td толщине волноводного слоя. Величина Td задается ускоряющим напряжением (U) SEM.