Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 114 | ISSUE 1 | PAGE 36
Новый политип NbS3, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности1)
Abstract
Синтезирован новый политип NbS3-квазиодномерного проводника с высокотемпературными волнами зарядовой плотности (ВЗП). Исследования в просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) при комнатной температуре показали, что из двух сверхструктур, существующих в изученной ранее моноклинной фазе, наблюдается лишь одна, с периодом вдоль цепочек, близким к (1/0.352)b. Помимо этого, наблюдается новое несоизмеримое искажение решетки с периодом, близким к 2b. Транспортные свойства исследованных образцов находятся в согласии с результатами исследования сверхструктуры. Постоянные основной решетки несколько отличаются от соответствующих параметров, установленных для изученной ранее моноклинной фазы. Предположительно, новую фазу можно считать промежуточной между двумя основными известными фазами NbS3 - моноклинной и триклинной. При этом ее свойства можно объяснить в рамках модели, согласно которой элементарную ячейку моноклинной фазы можно рассматривать как результат наложения ячеек триклинной фазы.


Supplemental files
1zyb-d.pdf