 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 6 | PAGE 366 |
|---|
|
Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs p-i-n структурах1)
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин2), С. В. Морозов
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Обнаружено сильное влияние длины волны падающего света λ на относительную долю осциллирующей составляющей фототока в GaAs/AlAs p-i-n гетероструктурах. Эффект объяснен в рамках расширенной "резонансно-туннельной" модели происхождения осцилляций, учитывающей также смещение глубины поглощения света в гетероструктуре с длиной волны λ. Поведение фотоосцилляций в магнитном поле оказалось аналогичным поведению туннельных резонансов в n-i-n структурах с широкими квантовыми ямами и дало подтверждения как нашей интерпретации влияния λ на относительный вклад осциллирующей компоненты в фототок, так и применимости нашей модели осцилляций. |