Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 115 | ISSUE 1 | PAGE 35
Стимулированная Бозе конденсация электронно-дырочных пар в сильно вырожденном полупроводнике при комнатной температуре
Abstract
Описан механизм и построена упрощенная модель конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве в сильно вырожденном полупроводнике при участии резонансных фотонов электромагнитного поля. Продемонстрировано, что в таком полупроводнике при наличии фотонов в экситонной части спектра возможно формирование квазистационарного Бозе состояния коллективно спаренных электронов и дырок. При этом необходимая плотность носителей в несколько раз должна превосходить пороговую плотность возникновения лазерного излучения. Описанный эффект позволяет объяснить механизм появления сверзхизлучающего квантового перехода и неравновесного БКШ-подобного электронно-дырочного состояния в полупроводниковых гетероструктурах при комнатной температуре, экспериментально наблюдавшихся ранее.