Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 115 | ISSUE 1 | PAGE 40
Аномальное поведение ИК-активной фононной Eu1 моды в кристалле Bi2-xSrxSe3
Abstract
Изучена спектральная эволюция фононной линии Eu1 топологического изолятора Bi2-xSrxSe3 при изменении температуры. В отличие от комбинационно-активных фононов, Eu1 мода смягчается при охлаждении кристалла, а соответствующая спектральная линия приобретает выраженную форму резонанса Фано при температурах T\lesssim100 K. Данный эффект интерпретирован как свидетельство специфического взаимодействия объемных ИК-активных фононов с поверхностными дираковскими электронами. Используя когерентное резонансное возбуждение Eu1 моды в качестве чувствительного к поверхности зонда, зарегистрировано смягчение поверхностного эквивалента объемной фононной Eu1 моды при легировании атомами стронция. Данное наблюдение может быть свидетельством сильного электрон-фононного взаимодействия на поверхности кристалла Bi2-xSrxSe3.