Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 115 | ISSUE 1 | PAGE 47
Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния
Abstract
В рамках теории функционала плотности методом проекционных присоединенных волн проведены исследования электронной структуры двумерного диоксида кремния. Результаты неэмпирических расчетов существенно уточняются в GW-приближении. Рассмотрены нанопленки толщиной от 0.35 до 1.76 нм с максимальным числом атомарных слоев, равным 30. Показано, что запрещенная зона существенно зависит от толщины двумерного нанокристалла и имеет три различных типа поведения. Данное явление обусловлено сдвигом уровня Ферми, определяемым соотношением атомов Si и O в элементарной ячейке.