Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 116 | ISSUE 4 | PAGE 233
Оптическое детектирование циклотронного резонанса в неоднородных ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/δ-\boldsymbol{\langle}Mn\boldsymbol{\rangle}
Abstract
Методом оптически детектируемого циклотронного резонанса (ОДЦР) исследованы структуры, содержащие квантовую яму InGaAs/GaAs и ферромагнитный δ-\langleMn\rangle-слой, разделенные узким спейсером 3-10 нм. Несмотря на сильный беспорядок в этих структурах, по фотолюминесценции носителей в квантовой яме наблюдается ОДЦР при поглощении в дальней инфракрасной области с максимумом в магнитных полях, существенно меньше ожидаемых для типичных значений электронной или дырочной циклотронных масс. Необычное проявление ОДЦР объясняется размерным магнитоплазменным резонансом двумерных вырожденных дырок в субмикронных областях квантовой ямы высокого качества, возникших в условиях сильного флуктуационного кулоновского потенциала вследствие мезоскопического расслоения акцепторного δ-\langleMn\rangle-слоя высокой плотности. Ниже температуры Кюри δ-\langleMn\rangle-слоя магнитно-силовая микроскопия также свидетельствует о неоднородности структуры в плоскости с характерным масштабом \sim 100-200 нм. В то же время, в светодиодной структуре на подложке n-GaAs резонансное поле ОДЦР заметно меньше, чем в структуре на изолирующей подложке i-GaAs, что связывается с резонансом на донорах в легированной подложке.