Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 5 | PAGE 318
О возможных магнитных свойствах ультратонких пленок Mn2GaC на подложках Al2O3
Abstract
Рассматривается вопрос о возможности роста и магнитных свойствах тонких пленок MAX-фазы Mn2GaC на подложках Al2O3 различной ориентации. В рамках геометрического подхода спрогнозированы наиболее предпочтительные ориентационные соотношения и интерфейсные плоскости в системе Mn2GaC//Al2O3, указывающие на возможность роста на подложках сапфира С-срез (0001), S-срез (01\bar{1}\bar{1}), N-срез (11\bar{2}\bar{3}), и R-срез (0\bar{1}1\bar{2}). С помощью метода функционала электронной плотности рассчитаны возможные магнитные свойства сплошных ультратонких пленок Mn2GaC при условии сохранения однородных растяжений/сжатий решетки MAX-фазы,вызванных ростом на предсказанных подложках: определено влияние деформации решетки Mn2GaC на магнитное упорядочение и величины магнитных моментов, оценена возможность перехода из антиферромагнитного состояния в ферромагнитное под действием внешних магнитных полей. Показано, что рост ферромагнитной пленки MAX-фазы Mn2GaC наиболее вероятен на подложках Al2O3(0001), Al2O_3(11\bar{2}\bar{3}) и Al2O_3(0\bar{1}1\bar{2}).