 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 116 (2022) | ISSUE 9 | PAGE 608 |
|---|
|
Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2 1)
В. А. Зиновьев+ 2), А. Ф. Зиновьева+*, В. А. Володин+*, А. К. Гутаковский+, А. С. Дерябин+, А. Ю. Крупин×, Л. В. Кулик°, В. Д. Живулько∇, А. В. Мудрый∇, А. В. Двуреченский+*
+Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ×Новосибирский технический государственный университет, 630073 Новосибирск, Россия °Институт химической кинетики и горения Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия ∇ ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению", 220072 Минск, Республика Беларусь
Abstract
Проведено исследование возможности создания двумерных слоев Si на поверхности пленки CaF2/Si(111) методом молекулярной лучевой эпитаксии. Найдены ростовые условия, при которых происходит формирование участков двумерных слоев Si. Исследования методами спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС), просвечивающей электронной микроскопии, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) продемонстрировали, что для эпитаксиальных структур, полученных осаждением от одного до трех биатомных слоев Si на поверхность пленки CaF2/Si(111) при температуре 550 °С, имеет место формирование участков двумерных слоев Si. В спектрах КРС от указанных структур обнаружен узкий пик при 418 см-1, который обусловлен рассеянием света на колебаниях Si атомов в плоскости двумерного слоя Si, интеркалированного кальцием. В ЭПР-спектрах многослойных структур с участками двумерных слоев Si, встроенных в CaF2, при подсветке наблюдался изотропный сигнал с асимметричной дайсоновской формой, с g=1.9992, что позволяет отнести этот сигнал к фотоиндуцированным электронам проводимости в протяженных двумерных островках Si. Полученные результаты могут быть полезны для понимания механизмов формирования двумерных материалов на подложках CaF2/Si(111). |