Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 116 | ISSUE 9 | PAGE 608
Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2 1)
Abstract
Проведено исследование возможности создания двумерных слоев Si на поверхности пленки CaF2/Si(111) методом молекулярной лучевой эпитаксии. Найдены ростовые условия, при которых происходит формирование участков двумерных слоев Si. Исследования методами спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС), просвечивающей электронной микроскопии, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) продемонстрировали, что для эпитаксиальных структур, полученных осаждением от одного до трех биатомных слоев Si на поверхность пленки CaF2/Si(111) при температуре 550 °С, имеет место формирование участков двумерных слоев Si. В спектрах КРС от указанных структур обнаружен узкий пик при 418 см-1, который обусловлен рассеянием света на колебаниях Si атомов в плоскости двумерного слоя Si, интеркалированного кальцием. В ЭПР-спектрах многослойных структур с участками двумерных слоев Si, встроенных в CaF2, при подсветке наблюдался изотропный сигнал с асимметричной дайсоновской формой, с g=1.9992, что позволяет отнести этот сигнал к фотоиндуцированным электронам проводимости в протяженных двумерных островках Si. Полученные результаты могут быть полезны для понимания механизмов формирования двумерных материалов на подложках CaF2/Si(111).


Supplemental files
9zin-d.pdf