Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 116 | ISSUE 11 | PAGE 763
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом 13C
Abstract
Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных VSi-VC дивакансий со спином S = 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC, обогащенном изотопом 13C (12 использованием методов электронного спинового эха и осцилляций Раби. Эксперименты с осцилляциями Раби показывают, что спиновая когерентность создается в SiC с десятикратно повышенной концентрацией изотопа 13C с ядерным магнитным моментом. Измерены времена спин-решеточной релаксации T1 и спин-спиновой релаксации T2 в условиях оптического выстраивания спинов: T_1\sim5 мс и T_2\sim15 мкс, T = 150 K, магнитное поле \sim 3 Tл. Оптическое выстраивание населенностей спиновых уровней позволяет манипулировать электронными и ядерными спинами в условиях окружающей среды с помощью оптического, микроволнового и радиочастотного излучения.