Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 11 | PAGE 770
Критерий поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB6
Abstract
В результате исследований гальваномагнитных свойств монокристаллических образцов SmB6 с различной ориентацией граней в диапазоне температур 1.9-3.6 К выделены удельные сопротивления поверхностей, отвечающих кристаллографическим плоскостям (100), (110), (111) и (211). Показано, что эффективные параметры носителей заряда, определяющие поверхностную проводимость в SmB6, зависят как от ориентации поверхности, так и от способа ее обработки. Обнаружено, что травление полированных полярных поверхностей, образованных плоскостями (100), приводит к уменьшению концентрации и росту подвижности поверхностных носителей заряда n-типа при 1.9 К от значений 113/a2 и 1.12 см2/(В с) до 0.76/a2 и 18 см2/(В с) соответственно (параметр решетки a\approx4.134 Å). Для подвергнутых травлению неполярных поверхностей, отвечающих плоскостям (110) и (111), выявлено превышение предельной концентрации поверхностных носителей заряда, приведенной к размеру поверхностной зоны Бриллюэна, в 2.3 и 3.9 раза соответственно. Указанный параметр предложено использовать в качестве простого критерия при идентификации особенностей электронного транспорта, обусловленных нетривиальной топологией зонной структуры SmB6.