 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 117 (2023) | ISSUE 2 | PAGE 171 |
|---|
|
Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe3 и HoTe3
А. В. Фролов+ 1), А. П. Орлов+*, Д. М. Воропаев+×, А. Хадж-Аззем° 2), А. А. Синченко+, П. Монсо+ 2)
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия ×Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский институт), 141701 Долгопрудный, Россия °Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Néel, 38042 Grenoble, France
Abstract
Выполнены измерения электронного транспорта, в том числе динамических свойств волны зарядовой плотности в квазидвумерном соединении HoTe3. Обнаружены и изучены эффекты медленной релаксации неравновесного состояния волны зарядовой плотности при изотермической выдержке в режиме нулевого тока, наблюдаемые ранее в TbTe3. Значительное увеличение времени выдержки позволило наглядно продемонстрировать, что релаксационные зависимости имеют логарифмический вид; изучены особенности релаксации в разных температурных и временных диапазонах. Полученные данные указывают на стекольное поведение системы центров пиннинга волны зарядовой плотности в трителлуридах редкоземельных атомов. |