 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 118 (2023) | ISSUE 6 | PAGE 438 |
|---|
|
Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена1)
Ю. Н. Ханин+, Е. Е. Вдовин+, С. В. Морозов+, К. С. Новоселов* 2)
+Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore, Building S9, 4 Science Drive 2, 117544 Singapore
Abstract
Обнаружено сильное подавление равновесного магнитотуннелирования в гетероструктуре графен/hBN/графен, обусловленное корреляционной кулоновской щелью в туннельной плотности состояний. Сравнение подавления равновесной туннельной проводимости G0 в сильном магнитном поле при понижении температуры и зависимости ширины наблюдаемой щели Δ от величины фактора заполнения уровней Ландау ν с результатами аналогичных экспериментов в GaAs гетероструктурах показало их качественное подобие и подтвердило нашу гипотезу о природе эффекта. При этом, однако, полученная нами величина Δ значительно превосходит измеренные во всех предыдущих работах в полупроводниковых гетероструктурах, что связано, вероятно, с большим масштабом циклотронных энергий в графене по сравнению с GaAs в интервале нижних уровней Ландау. |