Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-122
      Volume 122
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 122 (2025) | ISSUE 4 | PAGE 201
Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы
DOI: 10.31857/S0370274X25080148
Abstract
Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность \sim 80 Вт при длительности импульса \sim 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом \sim 6 нс равным времени обхода резонатора.