Home
| VOLUME 122 (2025) | ISSUE 5 | PAGE 306 |
|---|
|
Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC
К. В. Лихачев+, М. В. Учаев+, М. М. Логинова+*, И. П. Вейшторт+, А. П. Бундакова+, М. В. Музафарова+, А. С. Гурин+, Р. А. Бабунц+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 С.-Петербург, Россия
Abstract
Представлен полностью оптический векторный магнитометр на основе парамагнитных центров окраски с S = 3/2 в карбиде кремния (4H-SiC). Метод основан на спектроскопии антипересечения спиновых уровней (level anticrossing - LAC) и не требует приложения микроволновой мощности, в отличие от магнитометрии на основе оптически детектируемого магнитного резонанса NV-центров в алмазе. Это исключает нагрев образца и упрощает конструкцию устройства. Показано, что использование "модифицирующих" магнитных полей позволяет ускорить измерение внешних магнитных полей с высокой точностью. Оптическая регистрация сигналов LAC в ИК-диапазоне обеспечивает микронное и субмикронное пространственное разрешение,что делает метод перспективным для приложений в микроэлектронике и биомедицине. |