Отрицательный изотопный сдвиг LO-фонона в 3C-SiC: универсальный механизм доминирования масс-эффекта в кубических кристаллах
М. В. Долгополов, А. С. Чипура
Самарский государственный технический университет, 443100 Самара, Россия
Abstract
Обнаружено новое физическое явление:
доминирование изотопного масс-эффекта над вкладом деформаций (strain) в
кубических кристаллах, проявляющееся отрицательным сдвигом частоты
фононов.
На примере 3C-SiC экспериментально доказана универсальность связи
для симметричных решеток. Контраст с положительными сдвигами в
анизотропных 4H/6H-SiC доказывает ключевую роль симметрии кристалла в
конкурентном разделении вкладов масс-эффекта и деформаций.