Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 3 | PAGE 226 |
|---|
|
Влияние пьезоэлектричества на эффект Яна-Теллера в легированных кристаллах
В. В. Гудковa, Н. С. Аверкиевb, М. Н. Сарычевa, И. В. Жевстовскихa,c, С. В. Жерлицынd, Ю. В. Коростелинe, В. Т. Суриковf
aУральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия bФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия cИнститут физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620137 Екатеринбург, Россия d Hochfeld-Magnetlabor Dresden (HLD-EMFL), Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), 01328 Dresden, Germany eФизический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия fИнститут химии твердого тела Уральского отделения РАН, 620077 Екатеринбург, Россия
Abstract
Показано, что учет пьезоэлектричества матрицы, так же как и кристаллографическая упругая анизотропия, приводит к неэквивалентности глобальных минимумов адиабатического потенциала ян-теллеровских комплексов в легированных кристаллах. В качестве примера рассмотрены тетраэдрические комплексы с примесями замещения Cr2+ в кристаллах II-VI со структурой вюрцита. |