Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 7 | PAGE 489 |
|---|
|
Межслойное обменное взаимодействие в пленках Fe3Si/Ge/Fe3Si
И. Г. Важенина+, И. А. Яковлев+, С. Н. Варнаков*+, М. В. Рауцкий+, Р. С. Исхаков+
+Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра "Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН", 660036 Красноярск, Россия *Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН", 660036 Красноярск, Россия
Abstract
Межслойное обменное взаимодействие трехслойных эпитаксиальных пленок Fe3Si/Ge/Fe3Si исследовано методом ферромагнитного резонанса. Образцы с технологической толщиной слоя Ge tGe 1 и 4 нм были получены напылением из отдельных термических источников методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Величина эффективной константы межслойного обменного взаимодействия J12 является положительной и равной 0.7 эрг/см2 при tGe = 1 нм, а при tGe=4 нм становится отрицательной и равной по модулю 0.18 эрг/см2. Таким образом, в исследуемых структурах в зависимости от толщины промежуточного слоя реализуется либо ферромагнитный (tGe = 1 нм), либо антиферромагнитный (tGe = 4 нм) тип межслойного обменного взаимодействия. |