Взаимодействие электронов с тепловыми фононами при низких температурах в пленках YBa2Cu3O7-δ
Аксаев Э.Е., Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Семенов А.Д., Сергеев А.В.
В пленках YBaCuO при низких температурах изучено время электрон-фононного взаимодействия τ ^, которое измеряется как время релаксации сопротивления в резистивном состоянии сверхпроводника, а также определяется по увеличению сопротивления под действием излучения. Согласованные результаты этих методов свидетельствуют, что релаксация сопротивления в резистивном состоянии обусловлена остыванием электронной подсистемы относительно фононной. Найдено, что τ ^ обратно пропорционально температуре и составляет 80 пс при Т1,6 К и 5 пс при Т= 30 К.
Home
