Home
| VOLUME 123 (2026) | ISSUE 11 | PAGE 781 |
|---|
|
К вопросу о соотношении ширины линий плазменного и циклотронного резонансов
В. М. Муравьев+, И. В. Андреев+, И. С. Шинко+, А. А. Заболотных*, А. С. Казаков+, И. В. Кукушкин+
+Институт физики твердого тела имени Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Abstract
В работе экспериментально и теоретически исследуется ширина линии плазменного резонанса в двумерной электронной системе на базе AlGaAs/GaAs гетероструктуры в магнитном поле. Показано, что ширина линии объемной магнитоплазменной моды увеличивается с ростом магнитного поля от 1/τ (τ - время электронной релаксации) в нулевом магнитном поле до 2/τ, что согласуется с переходом от плазменного к циклотронному резонансу. Разработана аналитическая теоретическая модель, объясняющая наблюдаемое увеличение ширины линии плазменного резонанса в магнитном поле. Полученные результаты раскрывают сложную релаксационную динамику плазменных возбуждений в присутствии магнитного поля. |