Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-124
      Volume 124
      Volume 123
      Volume 122
      Volume 121
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 124 (2026) | ISSUE 1 | PAGE 65
Магнитофононный резонанс в тройных соединениях с квантовой ямой n-InGaAs
Abstract
Исследован магнитофононный резонанс в структурах с квантовой ямой n-InxGa1-xAs с различными составом, шириной квантовой ямы и материалами барьеров в поперечном импульсном магнитном поле. По положению осцилляций магнитосопротивления в магнитном поле определены частоты оптических фононов, взаимодействующих с электронами. Показано, что в структурах с широкими квантовыми ямами резонанс обусловлен взаимодействием электронов с продольными GaAs-подобными оптическими фононами. В узких квантовых ямах возможно взаимодействие электронов с интерфейсными фононными модами. В гетероструктуре n-In0.53Ga0.47As/InP взаимодействие определяется оптическими фононами барьера InP.