Home
| VOLUME 124 (2026) | ISSUE 10 | PAGE 867 |
|---|
|
Тепловое ограничение в свободно подвешенном сверхпроводящем островке на нанопроводе InAs1)
Е. В. Шпагина+*, Е. С. Тихонов+*, Д. Рухсторфер× 2), Г. Кобльмюллер× 2), В. С. Храпай+* 3)
+Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 101000 Москва, Россия ×Walter Schottky Institut, Physik Department, and Center for Nanotechnology and Nanomaterials, Technische Universität München, Am Coulombwall 4, Garching 85748, Germany
Abstract
Мы исследуем тепловой баланс в сверхпроводящих островках (S-островках), сформированных в эпитаксиальных Al/InAs нанопроводах, свободно подвешенных над подложкой. В работе используется метод джоулевой спектроскопии, который позволяет регистрировать переход сверхпроводник-нормальный металл в S-островке, обусловленный нагревом соседних участков InAs транспортным током. Температура окружающего 
контролируется с помощью расположенных рядом мезоскопических нагревателей
и измеряется методом шумовой термометрии Джонсона. Эксперимент
демонстрирует заметное ограничение тепловой релаксации, связанное с
охлаждением через окружающий 3He, что приводит к нагреву фононов в S-островке.
Наши результаты раскрывают роль охлаждения через окружение в
неравновесных экспериментах с S-островками в устройствах с нанопроводами.
|