Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 61-80
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 41-60
      Volume 60
      Volume 59
      Volume 58
      Volume 57
      Volume 56
      Volume 55
      Volume 54
      Volume 53
      Volume 52
      Volume 51
      Volume 50
      Volume 49
      Volume 48
      Volume 47
      Volume 46
      Volume 45
      Volume 44
      Volume 43
      Volume 42
      Volume 41
Search
VOLUME 59 | ISSUE 10 | PAGE 655
Микроволновый пробой ионных кристаллов инициированный вторично-эмиссионным разрядом
В одиночных импульсах микроволнового излучения обнаружен новый вид пробоя контрагированный разряд по поверхности кристаллов, сопровождающийся сильным (до 100%) поглощением излучения, испарением и ионизацией материала образцов. Пробою предшествует нерезонансный вторично-эмиссионный разряд (ВЭР). По оценкам при пробое концентрация электронов в зоне проводимости кристалла достигает 1021 см-3. Предполагается, что пробой обусловлен накоплением в течение ВЭР высокой концентрации нестационарных центров окраски.