JETP Letters: issues online

Исследована зависимость дифференциального туннельного сопротивления Л и туннельных спектров Rd²J/dV² переходов n-GaAs/Au от магнитного поля В в продольном (В || /) и поперечном (В ± I) полях до 23 Τ при температуре 4,2К. Обнаружено, что квантующее магнитное поле изменяет кривые R(V) подобным образом и оставляв! туннельные спектры практически неизменными, за исключением диапазона напряжений смещения V, где имеются проявления многочастичных эффектов в туннелировании: аномалия при ■ нулевом смещении и фононные особенности на туннельных спектрах. Это позволяет предположить, что с точностью до вкладов многочастичных взаимодействий (обменно-корреляционного и поляронного) зависимость Л от V и В может быть представлена в мультипликативной форме Л ос f(V)g(B). Выведены формулы для зависимости R(B) при V 0 и проведено сравнение расчетных кривых с измеренными. Имеющиеся количественные расхождения свидетельствуют о необходимости учета изменения формы самосогласованного барьера Шоттки вследствие влияния квантующего магнитного поля на экранирование. В случае продольного поля единственной причиной существования магнитосопротивления туннельных переходов может быть только квантование Ландау спектра свободных носителей. Сопоставление кривых Л(В) и осцилляций Шубникова-де Гааза объемного сопротивления n-GaAs указывает, что процессы рассеяния, подавляющие магнитное квантование в объеме полупроводника, когда не выполнено условие ц>_ст > 1, не препятствуют квантованию электронов в области барьера Шоттки в гораздо более слабых полях.