Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 11 | PAGE 673
Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии
PACS: 72.80.Ng
Abstract
Приводятся результаты попытки экспериментального наблюдения при комнатной температуре осцилляций напряжения, связанных с дискретным туннелированием дырок в пористом кремнии (ПК). Исследовались шумовые характеристики диодных структур с прослойкой ПК, сформированного на монокристаллах сильно легированного бором кремния. Обнаружены пики избыточных шумов на частотах \sim1 МГц, на которых следовало ожидать одноэлектронные осцилляции. Пиковая мощность шума возрастала с ростом тока по степенному закону с показателем \sim2.5 и при плотности тока 0.15 A/см2 на 3-4 порядка превышала мощность шума приемника. Сложные вид спектра шумов и его расширение в область высоких частот с ростом тока объясняются трехмерностью системы кремниевых наноразмерных гранул, вкрапленных в диэлектрическую двуокись кремния в ПК.