Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 2 | PAGE 100
Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса
PACS: 61.46.+w
Abstract
При помощи атомно-силового микроскопа проведено исследование топографии поверхности SiGe структур, сформированных при эпитаксии Ge на профилированные подложки Si(111) в условиях электромиграции. Получены системы высокоупорядоченных наноостровков германия размерами (10-20) нм и плотностью 6•1010 см-2. Показана принципиальная возможность управляемого воздействия на геометрические параметры самоорганизующихся наноостровков за счет выбора условий формирования и послеростового отжига структур.