Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 74 (2001) | ISSUE 10 | PAGE 560
Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн
PACS: 61.10.-i
Abstract
Показано, что в совершенных многослойных системах можно с помощью одного только метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии фиксировать смещения атомных слоев (вызываемых инородными слоями), сравнимые и меньше межатомного расстояния. Ранее считалось, что фиксация таких малых смещений доступна лишь особым методам, типа метода стоячих рентгеновских волн. Измерения проводились на системе GaAs/InAs/GaAs, где инородным слоем являлся слой InAs, толщина которого не превышала 3 монослоев, а его структура имела островковый характер и по существу представляла собой набор отдельных квантовых точек. Проведенные измерения позволили определить смещение верхнего слоя GaAs по отношению к буферу GaAs с точностью менее 0.1 толщины атомного слоя.