JETP Letters: issues online

Приведены результаты исследований температурной зависимости остаточной поляризации отрицательных мюонов в кристаллическом кремнии с примесью германия (9•10¹⁹ см^-3) и бора (4.1•10¹⁸, 1.34•10¹⁹, 4.9•10¹⁹ см^-3). Установлено, что аналогично образцам кремния n- и p-типа с концентрациями примесей до $\sim10^{17} {\rm см}^{-3}$ , в кремнии с высокой (9•10¹⁹ см^-3) концентрацией примеси германия скорость релаксации ν магнитного момента _μAl-акцептора зависит от температуры как $\nu\sim T^q, q\approx3$ при T=(5-30) K. В образцах вырожденного кремния в данном диапазоне температур наблюдается увеличение абсолютного значения скорости релаксации и ослабление ее температурной зависимости. На основе полученных экспериментальных данных сделан вывод о том, что в вырожденном кремнии при $T\lesssim30$ K существенный вклад в релаксацию магнитного момента мелкого акцепторного центра вносит спин-обменное рассеяние свободных носителей заряда. Получены оценки величины эффективного сечения спин-обменного рассеяния дырок (σ_h) и электронов (σ_e) на акцепторном центре Al в Si: $\sigma_h\sim10^{-13} {\rm см}^2$ , $\sigma_e\sim8\cdot10^{-15} {\rm см}^2$ при концентрации акцепторной (донорной) примеси $n_a(n_{d})\sim4\cdot10^{18} {\rm см}^{-3}$ .