Рост иглообразного кристалла около стенки
Бренер Е.А., Саито Ю., Мюллер-Крумбхаар X., Темкин Д.Е.
Рассматривается рост двумерной иглы в переохлажденном расплаве вдоль теплоизолирующей стенки. Капиллярная длина do считается изотропной. Предложена модель, в которой система разбивается на две части "свободную", удаленную от стенки, и пристеночную. Первая описывается в модели пограничного слоя, а вторая в приближении постоянства толщины зазора между стенкой и кристаллом. Сформулированы условия сшивания диффузионных полей и двух частей фронта кристаллизации. Эти условия определяют скорость роста ν и толщину зазора S в функции переохлаждения Δ: ν ~ О, 4(£>/^ο)Δ5, vS/D ~ 0, 8.
|
Home
![](/ps/864/article_13270_800_head.png "Рассматривается рост двумерной иглы в переохлажденном расплаве вдоль теплоизолирующей стенки. Капиллярная длина <b><i>do </i></b>считается изотропной. Предложена модель, в которой система разбивается на две части "свободную", удаленную от стенки, и пристеночную. Первая описывается в модели пограничного слоя, а вторая в приближении постоянства толщины зазора между стенкой и кристаллом. Сформулированы условия сшивания диффузионных полей и двух частей фронта кристаллизации. Эти условия определяют скорость роста <b><i>ν </i></b>и толщину зазора <b><i>S </i></b>в функции переохлаждения Δ: <b><i>ν ~ </i></b>О, 4(£>/^ο)Δ<sup>5</sup>, <b><i>vS/D ~ </i></b>0, 8.")