Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 3 | PAGE 190
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из ионно-молекулярных пучков
PACS: 61.14.Hg, 61.80.-x, 68.55.-a
Методом дифракции быстрых электронов на отражение экспериментально исследовано изменение морфологии поверхности псевдоморфной пленки Ge на Si при облучении собственными низкоэнергетическими (230 эВ) ионами в процессе гетероэпи-таксии из молекулярных пучков. Обнаружено, что облучение непрерывным пучком ионов приводит к уменьшению критической толщины пленки Ge, при которой происходит переход от двумерно-слоевого к трехмерному росту. Установлено, что импульсное (0.5 с) ионное воздействие в моменты времени, соответствующие степени заполнения слоя > 0.5, вызывает усиление интенсивности зеркального рефлекса, что соответствует снижению шероховатости поверхности роста.