Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 4 | PAGE 290
Бистабильность квантового магнитотранспорта в многослойной гетероструктуре Ge/p-Ge1-xSix с широкими потенциальными ямами
В сильных магнитных полях В при низких температурах наблюдаются два ме-тастабильных состояния многослойной гетеросистемы Ge/p-Gei~zSiz с широкими (~ 35 нм) потенциальными ямами (Ge). В первом из состояний холловское сопротивление имеет перегиб вблизи величины рху = Λ/e2 в пересчете на один слой Ge. В интервале полей, где расположен данный перегиб, продольное магнитосопротивление Рхх(В) имеет минимум. Эволюция с температурой перегиба рху{В) и минимума Рхх(В), а также величина ряу в перегибе указывают на слабовыраженное состояние квантового эффекта Холла при равномерном распределении тока по слоям. Во втором метастабильном состоянии на зависимости PxV(B) наблюдается необычно широкая полка вблизи величины Л/2е2 с очень слабой зависимостью от поля. По оценкам, в данных образцах уровень Ферми расположен ниже, но близко к вершине изгиба дна ямы. Поэтому второе состояние можно объяснить разделением дырочного газа в слоях Ge на два подслоя, а насыщение зависимости рху(В) вблизи Л/2е2 формированием состояния квантованного холловского диэлектрика.