Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 63 (1996) | ISSUE 1 | PAGE 67
Термоактивационная диссипативная проводимость в режиме дробного квантового эффекта Холла
В полевых транзисторах на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs с электронным каналом выполнены экспериментальные исследования термоактивационной диссипативной проводимости σζχ в дробном квантовом эффекте Холла при факторе заполнения 1/-1/3 и вблизи него. Измеренная при ν — 1/3 величина предэкспо-ненциального множителя с нашей точностью в 10% совпадает со значением 2e*2/h (е*-е/3 заряд квазичастиц), ожидаемым для случая, когда квазиэлектроны и квазидырки вносят одинаковый вклад в проводимость. Наблюдаемое изменение температурных зависимостей проводимости при отклонении ν от 1/3 связано с изменением заполнения уровней энергии квазиэлектронов и квазидырок и указывает на отсутствие щели в средней по образцу плотности состояний квазичастиц. PACS 72.20.Му, 73.20.Dx, 73.20.Mf